收藏本站
New Product
SiB408DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
5
16
V GS = 10 V thru 4 V
4
12
8
4
0
V GS = 3 V
3
2
1
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
1
2
3
4
5
0.060
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.045
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
400
300
C iss
0.030
200
0.015
100
C oss
0.000
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 6 A
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 6 A
8
6
V DS = 15 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V DS = 7.5 V
4
2
0
V DS = 22.5 V
1.1
0.9
0.7
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64828
S09-0859-Rev. A, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIB412DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB413DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
SIB433EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V SC-75-6
SIB452DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L
SIB914DK-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
SIE800DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE802DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
相关代理商/技术参数
SIB410DK 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIB410DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB411DK-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB411DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB412DK-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB412DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB413DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB414DK-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R